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请教:MOS管做开关电路

gecimao 发表于 2019-07-02 18:33 | 查看: | 回复:

  单片机输出4.2V电平,控制另一路4.2V电压的通断(其实是为了降低单片机外部电路的功耗)。希望MOS管上的s、d极导通压降尽量小,且g为低电平时导通,g为高电平时截止。请大家帮分析一下...

  单片机输出4.2V电平,控制另一路4.2V电压的通断(其实是为了降低单片机外部电路的功耗)。希望MOS管上的s、d极导通压降尽量小,且g为低电平时导通,g为高电平时截止。请大家帮分析一下这个电路!看看哪里出问题了!谢谢!

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  电路错了,PMOS你还D入S出?也就是说,S和D反了,调过来就对了。这个电路很常用,类似于PNP型三极管,对P三极管来说,E接电源入,C接控制输出,同理如上。反过来测试可以工作,但是电压会从4V降到3.5V左右,且工作时管子很烫,应该是大电流通过造成,请问10K电阻是不是小了一点?还是我漏掉了一些?跟电阻没关系,因为MOS是电压驱动型开关器件。如果发热厉害而且压降大,那说明一点是,电流大,导通内阻大。内阻大是关子自身的事,电流大你可以考虑下它所能承受的电流及散热条件

  MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

  MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程,但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间,而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。

  MOS管也是三端压控元件,三端分别是G、D、S,可以等效于普通三极管的B、C、E三极,VGS的电压(=VG-VS)控制Mos 开关状态:

  当VGS大于Von(开启电压,NMOS为2~4V,PMOS为-2~-4V)时就使得Mos打开,D& S两极之间导通,压降为零,阻抗较小,零点几欧姆;

  同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态,D& S两极之间阻抗很大;

  要注意的是,Vgs不能太高,比如IRF530,Von的最大值为4V,可是击穿电压为正负20V;又比如IRF9530,开启电压为最大-4V,也就是说Vgs=-5V时已经打开,开启电压上限也为正负20V,当Vgs=-21V或者22V时,管子会被击穿。通常使用时,可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。

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