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随机存取存储器

gecimao 发表于 2019-04-13 16:00 | 查看: | 回复:

  当列选择线均截止,封锁了存储单元位线与输入/输出端的通路,使存储单元的数据不能读出,也不能被外信号改写。当列选线导通,对存储单元可进行读/写操作,由读/写控制电路和

  动态存储单元是由MOS管的栅极电容C和门控管组成的。数据以电荷的形式存储在栅极电容上,电容上的电压高表示存储数据1;电容没有储存电荷,电压为0,表明存储数据0。因存在漏电,使电容存储的信息不能长久保持,为防止信息丢失,就必须定时地给电容补充电荷,这种操作称为“刷新”,由于要不断地刷新,所以称为动态存储。

  Intel2114A是单片1 K×4位(即有1 K个字,每个字4位)的静态存储器(SRAM),它是双列直插18脚封装器件,采用5V供电,与TTL电平完全兼容。

  Intel 2116单片16 K×1位动态存储器(DRAM),是典型的单管动态存储芯片。它是双列直插16脚封装器件,采用+12V和 5V三组电源供电,其逻辑电平与TTL兼容。

  9.3.4 RAM的扩展 (采用数字电路网络课程或PowerPoint并进行讨论。)

  当单片RAM不能满足存储容量的要求时,这时可把多个单片RAM进行组合,扩展成大容量存储器。

  字扩展就是把几片相同RAM的数据线并接在一起作为共用输入输出端(即位不变),读/写控制线也接在一起,把地址线加以扩展,用扩展的地址线去控制各片RAM的片选

  当RAM的位线和字线都需要扩展时,一般是先进行位扩展,然后再进行字扩展。

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